اینتل می‌خواهد پس از سال‌ها، دوباره در دنیای تراشه‌سازی حرفی برای گفتن داشته باشد و به جنگ بزرگ‌ترین بازیگر این روزهای بازار یعنی TSMC برود. در همین راستا، این کمپانی از تکمیل فرایند توسعه نود اینتل 18A (کلاس 1.8 نانومتری) و نود 20A (کلاس 2 نانومتری) خبر داده است که دستاوردی بزرگ به حساب می‌آید.
وانگ روی»، مدیر اینتل در چین، در یک رویداد از تکمیل توسعه فرایندهای تولید اینتل 18A (کلاس 18 آنگستروم) و اینتل 20A (کلاس 20 آنگستروم) خبر داد. این موضوع به معنای آن نیست که اینتل حالا می‌تواند استفاده تجاری از این لیتوگرافی‌ها داشته باشد، بلکه مشخصات، مواد، نیازمندی‌ها و همچنین اهداف مدنظر آن‌ها حالا مشخص شده است.
لیتوگرافی 2 و 1.8 نانومتری اینتل
فناوری تولید اینتل 20A منجر به ایجاد یک ساختار ترانزیستور جدید، ترانزیستورهای RibbonFET می‌شود که اگرچه ریسک‌های مخصوص به خودش را دارد، اما احتمالاً به اینتل اجازه می‌دهد از رقبایش یعنی سامسونگ و TSMC پیشی بگیرد. اینتل می‌خواهد در نیمه اول 2024 از این لیتوگرافی استفاده کند.
فرایند اینتل 18A، فناوری‌های RibbonFET و PowerVia اینتل را بهبود می‌دهد و همچنین اندازه ترانزیستورها را کاهش می‌دهد. به نظر می‌رسد توسعه این فناوری به خوبی پیش رفته است؛ چرا که اینتل حالا می‌خواهد به‌جای سال 2025، آن را در نیمه دوم 2024 به‌طور کامل معرفی کند.
اینتل در ابتدا به‌دنبال استفاده از اسکنرهای Twinscan EXE شرکت ASML با روزنه عددی 0.55 برای نود 1.8 نانومتری بود، اما از اسکنرهای Twinscan NXE با روزنه عددی 0.33 و الگوی دوگانه EUV استفاده خواهد کرد.
اینتل باور دارد که فناوری ساخت کلاس 1.8 نانومتری‌اش، پیشرفته‌ترین نود در این صنعت هنگام ورود به مرحله تولید با ظرفیت بالا در نیمه دوم 2024 خواهد بود. فناوری‌های اینتل 20A و 18A برای محصولات خود اینتل و همچنین مشتریان آن مورد استفاده قرار می‌گیرد.
اگر اینتل بتواند در سال 2024 پردازنده‌هایش را با لیتوگرافی 2 نانومتری تولید کند، شاهد رقابت جذابی در بازار خواهیم بود و این کمپانی می‌تواند AMD را پشت سر می‌گذارد. درحال‌حاضر AMD با همکاری TSMC، از نظر لیتوگرافی دست بالا را نسبت به اینتل دارد.
