سامسونگ اکنون در حال آماده شدن برای شروع تولید انبوه حافظه V-NAND نسل هشتم است و انتظار داریم این فناوری در SSDهای آینده، از جمله درایوهای دارای قابلیت PCIe 5.0 یافت شود. این پیشرفت‌های جدید در حافظه فلش NAND می‌تواند دستاوردهای عظیمی را در سرعت ذخیره‌سازی و انتقال بالقوه برای کاربران به همراه داشته باشد.
سامسونگ اخیراً وارد مرحله آماده‌سازی شده تا کار تولید انبوه ماژول‌های حافظه V-NAND نسل هشتم خود را آغاز کند. انتظار می‌رود این ماژول‌ها دارای 236 لایه باشند که به سامسونگ اجازه می‌دهد تا قدرت و داده‌های بیشتری را به ماژول‌های V-NAND کوچک ارائه دهد.
ماژول‌های نسل هفتم V-NAND سامسونگ که سال گذشته عرضه شدند، دارای 176 لایه بودند و از سرعت 2 گیگاترانسفر بر ثانیه پشتیبانی می کردند و طبیعی است که با معرفی نسل هشتم V-NAND این سرعت افزایش یابد.
قطعاً این خبر بزرگی برای رایانه‌های دسکتاپ و لپ‌تاپ‌هاست، اما برای گوشی‌های هوشمند نیز قابل توجه خواهد بود، زیرا این دستگاه‌ها شروع به پشتیبانی از پروتکل‌های UFS 3.1 و اخیراً از پروتکل‌های UFS 4.0 کرده‌اند که سرعت ذخیره‌سازی فلش را حتی سریع‌تر می‌کند.
منبع: رسانه آی تی جو - سامسونگ بر روی ساخت حافظه V-NAND نسل جدید کار می‌کند
