سامسونگ تولید انبوهی از پنجمین نسل ، حافظه 90 لایه ای 256Gb 3D TLC NAND V-NAND را به عنوان اولین تولید کننده این محصول ، برای استفاده از رابط Toggle DDR 4.0 آغاز کرده است. به گفته این شرکت ، با توجه به این interface جدید ، سرعت انتقال اطلاعات بین استوریج و حافظه از طریق V-NAND جدید ، 1.4Gbps است که یک پیشرفت 40٪ نسبت به نسل 64 لایه ای سامسونگ است. علاوه بر این ، به دلیل بهبود فرایند گواهی لایه اتمی V-NAND ، سامسونگ توانست بهره وری تولید را به میزان 30٪ افزایش دهد و ارتفاع هر لایه سلولی را با 20٪ کاهش دهید.
حتی با این افزایش قابل توجه در عملکرد ، سامسونگ ادعا می کند که V-NAND جدید هنوز هم با 64 لایه ، در بهره وری قدرت قابل مقایسه است ، زیرا ولتاژ کار از 1.8 به 1.2 ولت کاهش یافته است. علاوه بر این، سامسونگ اضافه می کند که نسل بعدی V-NAND هایشان سریع ترین سرعت نوشتن اطلاعات در 500μs ) 30٪ بهبود نسبت به نسل قبلی) را داراست. آنها همچنین قادر به کاهش زمان پاسخ سیگنال خواندن به 50μs بودند.
سامسونگ در داخل پنجمین نسل جدید V-NAND خود ، بیش از 90 لایه فلش شارژ سه بعدی (charge trap flash (CTF سلول ها را به طور محکم در یک ساختار هرم با حفره های کانال میکروسکوپی (چند صد nonmeters گسترده) به صورت عمودی حفر کرده است. همچنین این حفره های کانال دارای بیش از 85 میلیارد سلول CTF است که می تواند سه بیت داده را ذخیره کند.
انتظار می رود سامسونگ به زودی تولید نسل پنجم V-NAND خود را به زودی آغاز کند، زیرا قصد دارد تا طیف وسیعی از نیازهای بازار، از جمله ابر رایانه، سرورهای سازمانی و آخرین برنامه های کاربردی موبایل را ، تهیه کند.
نویسنده : محمد نعمتی
این مقاله که توسط من نوشته شده، ابتدا در وبسایت FaradSys منتشر شده است و اکنون در اینجا بازنشر میشود.
