nsc1.pvd·۲ ماه پیشمیکروسکوپ الکترونیمیکروسکوپهای الکترونی در مطالعات طیف وسیعی از نمونههای زیستی و مواد غیرآلی مانند میکروارگانیسمها، سلولها، مولکولهای بزرگ، فلزات، بلوره…
nsc1.pvd·۲ ماه پیشکندوپاش بایاس؛ گامی مؤثر در بهبود کیفیت پوششهای نازککندوپاش بایاسدر فرآیند لایهنشانی به روش کندوپاش، بایاس کردن زیرلایه بهمعنای اِعمال ولتاژ الکتریکی به آن در حین رسوبدهی است. این ولتاژ با…
nsc1.pvd·۳ ماه پیشبیست و سومین کنگره بینالمللی خلاء (IVC23)بیست و سومین کنگره بینالمللی خلاء (IVC23) در تاریخ 24 الی 28 شهریور (۱۵ تا ۱۹ سپتامبر ۲۰۲۵) در سیدنی استرالیا برگزار خواهد شد.
nsc1.pvd·۳ ماه پیشکندوپاش مگنترون (Magnetron Sputtering)کندوپاش مگنترون یک تکنیک کلیدی است که فرآیند کندوپاش معمولی را با افزایش نرخ کندوپاش و لایهنشانی در فشارهای محفظه پایینتر، بهبود میبخشد.
nsc1.pvd·۳ ماه پیشکندوپاش جریان مستقیم (DC Sputtering): راهی مطمئن برای لایهنشانی فلزات رسانا🔍 کندوپاش جریان مستقیم (Direct Current Sputtering)، سادهترین و نخستین روش توسعهیافته در میان تکنیکهای اسپاترینگ است. در این روش، با اعم…
nsc1.pvd·۴ ماه پیشنگهدارنده مغناطیسی تارگت ™ Mag Target Fastenerشرکت پوششهای نانوساختار اخیرا ™ Mag Target Fastener را برای تسهیل فرآیند نصب تارگت روی کاتدهای مگنترون معرفی کرده است.
nsc1.pvd·۴ ماه پیشپوششدهی لایه نازک به روش PVD در اپتوالکترونیکپوششهای PVD در اپتوالکترونیک، امکان تولید لایههای نازک یکنواخت و با خلوص بالا از فلزات و سرامیکها را برای کاربردهای مختلف، از جمله تشکیل
nsc1.pvd·۴ ماه پیشلایه نشانی مواد واکنش پذیرلایهنشانی یک لایه نازک از مواد واکنشپذیر روی یک زیرلایه باید تحت شرایط خلاء بالا انجام شود تا از آلودگی لایهها جلوگیری شود
nsc1.pvd·۴ ماه پیشکندوپاش واکنشی؛ کنترل ترکیب و کیفیت پوششها در بالاترین سطحکندوپاش واکنشی؛ کنترل ترکیب و کیفیت پوششها در بالاترین سطح
nsc1.pvd·۴ ماه پیشرویدادهای ماه اوت: اپتیک و فوتونیک SPIE، مواد ۲۰۲۵ و IPFAرویدادهای ماه اوت: اپتیک و فوتونیک SPIE، مواد ۲۰۲۵ و IPFA
