محققان هندی با بررسی اثر استفاده از مگنترون اسپاترینگ غیر تعادلی بر ویژگیهای لایه نازک دی اکسید قلع، موفق به بهبود ویژگیهای نوری، الکتریکی و ساختاری لایه نازک دی اکسید قلع شدهاند. دی اکسید قلع از جمله موادی است که به علت پتانسیلهای بالقوهای که دارد مانند کاربردهایی مثل ساخت الکترودها، لایههای شفاف، سلولهای خورشیدی ناهمگون، افزارههای اپتوالکترونیک، سنسورهای گاز و ترانزیستورهای لایه نازک، بسیار مورد توجه قرار گرفته است.